高JcYBco超导体定向生长装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
目前，高JcYBCO超导体的制造，国内外都是采用H2-O2焰工艺、粉末烧结工艺、定向生长法。而定向生长装置是人们研究高Tc超导体材料所必需的定向生长装置。该装置是控制温度梯度、熔融温度、熔融时间和冷凝速率等熔融工艺参数的专用设备。该装置由三大部分组成：(1)专用熔融炉；(2)加热温度自动控制部分，(3)提拉装置，其关键部分是专用熔融炉。用这种装置制备出的样品，在0T和1T下，Jc值分别达到11100A/厘米以上和～4000A/厘米2。
基本信息
专利标题 ：
高JcYBco超导体定向生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1054685A
申请号 ：
CN90101046.4
公开（公告）日 ：
1991-09-18
申请日 ：
1990-03-05
授权号 ：
CN1029807C
授权日 ：
1995-09-20
发明人 ：
刘奉生周廉吴晓祖牟慧麟王天成
申请人 ：
西北有色金属研究院
申请人地址 ：
陕西省宝鸡市71信箱
代理机构 ：
中国有色金属工业总公司专利事务所
代理人 ：
王连发
优先权 ：
CN90101046.4
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01B13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2000-04-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-09-20 ：
授权
1995-06-21 ：
发明专利公报更正
更正卷 : 10
号 : 36
页码 : 116
更正项目 : 专利申请的视为撤回
误 : H01B12/00 90101046.4 1991.09.18
正 : 删除
号 : 36
页码 : 116
更正项目 : 专利申请的视为撤回
误 : H01B12/00 90101046.4 1991.09.18
正 : 删除
1993-09-08 ：
专利申请的视为撤回
1992-04-01 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-09-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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