用于碳纳米管生长的装置和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供一种在基底(13)上生长高纵横比发射体(26)的装置。该装置包括限定腔室的外罩(10)，并包括连接至外罩且放置在腔室内、用于保持基底的基底保持器(12)，其中基底具有用于在其上生长高纵横比发射体(26)的表面。加热元件(17)放置于接近基底，并为选自碳、导电金属陶瓷和导电陶瓷中的至少一种材料。外罩限定出通入到腔室内的开口(15)，该开口用于接收进入到腔室内用来形成高纵横比发射体(26)的气体。
基本信息
专利标题 ：
用于碳纳米管生长的装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102264943A
申请号 ：
CN200680004869.7
公开（公告）日 ：
2011-11-30
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伯纳德·F·科尔斯科特·V·约翰逊
申请人 ：
摩托罗拉公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200680004869.7
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 C23C16/26 C23C16/50 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2013-12-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101678653693
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利申请号 : 2006800048697
申请公布日 : 20111130
号牌文件序号 : 101678653693
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利申请号 : 2006800048697
申请公布日 : 20111130
2012-01-11 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101169311592
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利申请号 : 2006800048697
申请日 : 20060113
号牌文件序号 : 101169311592
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利申请号 : 2006800048697
申请日 : 20060113
2011-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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