用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置
授权
摘要

本实用新型公开了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置,包括真空箱,所述真空箱内腔底部的两侧活动连接有卷出辊,所述真空箱内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件,张力调节组件包括两个活动辊,两个活动辊的顶部和底部均固定连接有固定板,真空箱的顶部固定连接有密封件,密封件的底部贯穿真空箱并延伸至真空箱的内部,本实用新型涉及碳纳米管技术领域。该用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置,通过在活动辊的顶部和底部设置固定板,配合转动套内的转动杆和调节杆,再利用固定板的转动关系,能够对活动辊的位置进行调节,从而能够对张力进行控制,此结构较为简单,操作方便,易于推广。

基本信息
专利标题 :
用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021176694.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-23
授权号 :
CN212769880U
授权日 :
2021-03-23
发明人 :
威廉·爱尔兰·米尔恩骆季奎汪小知
申请人 :
杭州英希捷科技有限责任公司
申请人地址 :
浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区启迪路198号C座1303室
代理机构 :
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
沈相权
优先权 :
CN202021176694.1
主分类号 :
C01B32/164
IPC分类号 :
C01B32/164  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B32/00
碳;其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/158
碳纳米管
C01B32/16
制备
C01B32/164
包括连续过程
法律状态
2021-03-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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