用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构。所述的石英舟结构包括石英舟主体和在石英舟主体表面的多个卡槽，卡槽中用来放置生长碳纳米管阵列的基底；卡槽为布置于石英舟主体上表面的截面为U形的条形槽，条形槽的两端非封闭，多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟主体上表面的中部。本实用新型解决了在化学气相沉积装置用、双面生长碳纳米管阵列时，基底两面生长的碳纳米管阵列形貌不一致的问题。
基本信息
专利标题 ：
用于化学气相沉积装置中生长碳纳米管阵列的石英舟结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920872455.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-11
授权号 ：
CN210796614U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
汪小知张亮沈龙胡海洋
申请人 ：
杭州英希捷科技有限责任公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山经济技术开发区启迪路198号A-B102-1141室
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林超
优先权 ：
CN201920872455.0
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/26 C01B32/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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