用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构
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摘要
本实用新型公开了一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构。所述的石英舟结构包括石英舟主体和带有多个卡槽结构的两个侧壁，侧壁的卡槽结构用来固定生长碳纳米管的基底；卡槽为布置于石英舟侧壁板内表面的截面为矩形的条形槽，条形槽的两端非封闭，多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟侧壁板的内表面；两个侧壁对应的卡槽处于同一高度处。本实用新型主要解决了在化学气相沉积装置用双面生长碳纳米管阵列时，基底两面生长的碳纳米管阵列形貌不一致的问题；以及解决了在生长过程中若使用金属箔作为基底，当生长温度较高时，金属箔容易受热弯曲的问题。
基本信息
专利标题 ：
用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921111332.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-16
授权号 ：
CN210683937U
授权日 ：
2020-06-05
发明人 ：
张亮汪小知沈龙
申请人 ：
杭州英希捷科技有限责任公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山经济技术开发区启迪路198号A-B102-1141室
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林超
优先权 ：
CN201921111332.1
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2020-06-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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