一种在异型金属基底上生长石墨烯的方法，它涉及化学领域，本发明的目的是为了解决异形结构的金属基底上生长石墨烯存在厚度和均匀性存在明显差异的问题，本发明方案：对异型金属基底预处理；通入氩气，抽真空；加热异型金属基底软化后通入过氧化氢气体和氩气后再通入碳源，进行生长。本发明在异形金属基底直接生长石墨烯材料，可使该金属基底性能得到优化，避免石墨烯转移过程中的结构破损和技术成本，在基于石墨烯等二维材料强化微通道热沉、电子器件散热器性能方面有广泛应用。本发明应用于石墨烯领域。