一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法，该方法包括：步骤(1)：将非金属基底覆盖于表面均涂布有碳源有机试剂的导电材料的两面，形成非金属基底/碳源有机试剂/导电材料/碳源有机试剂/非金属基底夹层；步骤(2)：将步骤(1)所得的夹层置于电极放电室中，于真空状态下对夹层进行放电处理，即可。本发明利用在石墨烯纸中瞬时通过大电流以产生高温(>2000摄氏度)，可以在短时间内在非金属基底上生长石墨烯薄膜，有效解决了现有石墨烯薄膜制备过程中存在的时间长和成本高等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114506843A
申请号 ：
CN202210175355.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李雪松青芳竹周聪俐
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苟铭
优先权 ：
CN202210175355.9
主分类号 ：
C01B32/184
IPC分类号 ：
C01B32/184
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/182
石墨烯
C01B32/184
制备
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/184
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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