基底单面分子自组装超薄膜制备装置
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要

本实用新型公开了一种基底单面分子自组装超薄膜制备装置,属超薄膜制备技术领域。它由圆形封盖、聚四氟密封垫、圆形载玻片和螺纹底座组成,使用时,将待修饰的基底置于粘合在螺纹底座上端的圆形载玻片正中位置,再将聚四氟密封垫贴合于基底表面上,然后将带孔圆形封盖拧紧,通过圆形封盖的中心孔往聚四氟密封垫内加入一定量的反应溶液,薄膜封口,防止溶液挥发。待反应完成后,取出基底,得到仅在基底一面吸附的分子自组装超薄膜。该装置具有成本低廉、结构简单、操作方便等特点,可满足不同温度条件下在基底单面自组装成膜的需求,实用性强,适用面广。

基本信息
专利标题 :
基底单面分子自组装超薄膜制备装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720088095.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-11-09
授权号 :
CN201096722Y
授权日 :
2008-08-06
发明人 :
曾昭睿雷云戴明
申请人 :
武汉大学
申请人地址 :
430072湖北省武汉市武昌珞珈山
代理机构 :
武汉华旭知识产权事务所
代理人 :
张火春
优先权 :
CN200720088095.2
主分类号 :
G01N21/55
IPC分类号 :
G01N21/55  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/55
镜面反射率
法律状态
2010-03-17 :
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-08-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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