熔融基底表面制备功能薄膜的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种熔融基底表面功能薄膜的制备方法，其特征是采用在室温下为固相的低熔点低蒸汽压材料为薄膜基底。沉积薄膜之前，升高基底温度，将其熔融而成为液相基底；然后采用磁控溅射或热蒸发等方法，将薄膜材料原子蒸发并沉积到液相基底表面，通过扩散、成核、旋转、凝聚，生长成具有特征晶粒结构(多晶)的功能薄膜；沉积结束后，将基底温度降至室温，基底固化，薄膜的微观结构得到稳定地保持。该方法具有制备工艺简单，成本低廉，所生长的多晶薄膜中的晶粒尺寸从100～102nm可调，薄膜的微观结构稳定，薄膜与基底之间的结合力强等特点，为此类功能薄膜的大规模应用提供了有效途经。
基本信息
专利标题 ：
熔融基底表面制备功能薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1807676A
申请号 ：
CN200610049552.7
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶高翔
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号
代理机构 ：
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 ：
盛辉地
优先权 ：
CN200610049552.7
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/24 C23C14/35 C23C14/54 C23C14/56 C23C14/58 C23C14/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2008-08-20 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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