薄膜型磁记录介质基底层掺杂方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明使钴基薄膜磁记录层的磁性质得到控制而不依赖于对沉积该磁层本身的过程控制，其作法是在铬基基底层(其后磁层要沉积到它上面)的真空沉积(即溅射过程或蒸镀过程)过程中将过程相容的掺杂剂气体引入到氩气中。其同样的成不同的掺杂剂也可引入到磁层中。所描述的过程相容掺杂剂气体含有：氧、氮和/或碳以及它们的混合物，包括组提纯空气、氧、氮、氧氮混合物、一氧化碳、二氧化碳、甲烷和水蒸气。
基本信息
专利标题 ：
薄膜型磁记录介质基底层掺杂方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1066741A
申请号 ：
CN92102669.2
公开（公告）日 ：
1992-12-02
申请日 ：
1992-04-14
授权号 ：
CN1025388C
授权日 ：
1994-07-06
发明人 ：
戴魏·奥尔沃德·埃德蒙森肯尼斯·爱德蒙德·约汉逊加莫斯·约瑟夫·迈耶尔阿瑟·卡尔·沃尔
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
范本国
优先权 ：
CN92102669.2
主分类号 ：
G11B5/84
IPC分类号 ：
G11B5/84
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/84
专用于制造记录载体的方法或设备
法律状态
2009-06-17 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-06-12 ：
其他有关事项
1994-07-06 ：
授权
1992-12-02 ：
公开
1992-10-07 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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