制备氟化物外延基底和控制钙钛矿结晶生长的方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种通过溶液法制备氟化物外延基底的方法，并用来控制无机钙钛矿发光层CsPbIxBr3‑x的结晶生长进而提高LED器件效率的方法，其中制备氟化物外延基底的方法包括：a)向钡盐或锶盐和一价油酸盐的二乙二醇溶液中，注入氟化铵的二乙二醇溶液，使其反应生成氟化物纳米颗粒；b)将步骤a)获得的氟化物纳米颗粒分散于非极性溶剂中，并将氢氟硼酸溶于极性溶剂中，再将两者混合，搅拌直至所述氟化物纳米颗粒由非极性溶剂分散至极性溶剂中；c)将上述分散至极性溶剂中的氟化物纳米颗粒旋涂到基底上，随后进行退火处理以制备出含有氟化物外延层的基底，即，氟化物外延基底。
基本信息
专利标题 ：
制备氟化物外延基底和控制钙钛矿结晶生长的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512627A
申请号 ：
CN202210113451.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚宏斌张茜宋永慧
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李新红
优先权 ：
CN202210113451.0
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/54 H01L51/50
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20220129
申请日 : 20220129
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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