竖直石墨烯的生长装置

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摘要

提供一种竖直石墨烯的生长装置，该装置包括反应腔室、支架和上、下电极板，其中反应腔室用于进行气相沉积反应，反应腔室包括进气端和封闭端，封闭端设有开设至少两个通孔的封闭部；支架包括相对的两个侧板和连接两个侧板的底座，两个侧板上设有承载组件，承载组件包括相对设置的两个承载块；下电极板放置于底座上，上电极板放置于承载组件上，以使上电极板和下电极板之间具有间距，上电极板和下电极板分别连接有导线，导线通过通孔连接电源，以使上电极板和下电极板之间形成竖直方向的电场。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场，使石墨烯可以严格沿竖直方向生长，得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。

基本信息

专利标题：

竖直石墨烯的生长装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922062071.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-26

授权号：

CN211078480U

授权日：

2020-07-24

发明人：

张锦许世臣孙阳勇高振飞罗家俊

申请人：

北京石墨烯研究院;北京大学

申请人地址：

北京市海淀区苏家坨镇翠湖南路13号院中关村翠湖科技园2号楼

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

司丽琦

优先权：

CN201922062071.5

主分类号：

C01B32/186

IPC分类号：

C01B32/186