一种半导体硅材料生长炉的石墨伸缩气管及生长炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉的石墨伸缩气管及生长炉，伸缩气管包括顶盖、气管外筒、气管中筒、气管内筒、底托；气管中筒相对气管外筒向下移动气管内筒相对气管中筒向下移动，可以实现坩埚升降过程中，石墨伸缩气管同步伸缩运动，同时避免杂质掉入熔体中。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体硅材料生长炉的石墨伸缩气管及生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922373941.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN211734530U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
李辉张熠郑锴秦英谡穆童
申请人 ：
南京晶升能源设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张弛
优先权 ：
CN201922373941.0
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2021-08-06 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 29/06
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南京晶升能源设备有限公司
变更后 : 南京晶升装备股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 211113 江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
变更后 : 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南京晶升能源设备有限公司
变更后 : 南京晶升装备股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 211113 江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
变更后 : 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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