本实用新型公开一种半导体硅材料生长用坩埚及生长炉，坩埚包括内坩埚、设置在内坩埚上方的导气筒、外坩埚；所述外坩埚围绕内坩埚及导气筒；所述导气筒的侧壁设有若干贯穿导气筒内外的气孔，经由气孔将挥发物带出内坩埚，向下倾斜的导气孔，可以引导气体向下吹扫，避免在导气孔过度沉积造成堵塞，气体沿内外坩埚及筋板形成的通道向坩埚下方排出，最后由下抽气带出炉体外，避免惰性气体带出的气体在热场上的沉积，延长了热场寿命，同时没有了热场上挥发物再次扩散进熔体的可能，提高了晶体纯度。