一种半导体硅材料生长用坩埚及生长炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开一种半导体硅材料生长用坩埚及生长炉,坩埚包括内坩埚、设置在内坩埚上方的导气筒、外坩埚;所述外坩埚围绕内坩埚及导气筒;所述导气筒的侧壁设有若干贯穿导气筒内外的气孔,经由气孔将挥发物带出内坩埚,向下倾斜的导气孔,可以引导气体向下吹扫,避免在导气孔过度沉积造成堵塞,气体沿内外坩埚及筋板形成的通道向坩埚下方排出,最后由下抽气带出炉体外,避免惰性气体带出的气体在热场上的沉积,延长了热场寿命,同时没有了热场上挥发物再次扩散进熔体的可能,提高了晶体纯度。
基本信息
专利标题 :
一种半导体硅材料生长用坩埚及生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922379694.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-26
授权号 :
CN211734531U
授权日 :
2020-10-23
发明人 :
李辉秦英谡张熠郑锴
申请人 :
南京晶升能源设备有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
代理机构 :
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
张弛
优先权 :
CN201922379694.5
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/12
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2021-08-10 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 29/06
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南京晶升能源设备有限公司
变更后 : 南京晶升装备股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 211113 江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
变更后 : 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南京晶升能源设备有限公司
变更后 : 南京晶升装备股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 211113 江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
变更后 : 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
2020-10-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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