本实用新型公开了一种具有环形坩埚的半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、发热体、坩埚，发热体围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及发热体外围，所述坩埚为圆柱形且坩埚的横截面为环形；以增加产品尺寸，提高产能，降低能耗；同时增大了热场尺寸，对坩埚内部的加热更加均匀，改善四周硅锭质量，从而避免角锭的产生，提升了硅锭整体的良率和质量。另外环形坩埚装料量降低，避免了角部因受力不均匀导致的坩埚壁撕裂漏硅的现象。