一种半导体级无减低铝高纯石英坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体级无减低铝高纯石英坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体上方通过螺纹连接内盖，所述内盖上方设有提把，所述内盖上端外侧设有固定槽，所述内盖位于固定槽内测设有多个等距排布的第二通槽，所述内盖上方设有外盖，所述外盖下方设有与固定槽相匹配的固定环，所述外盖上设有与第二通槽相匹配的第一通槽，所述外盖上端设有套环，所述套环内部通槽与提把外部截面相匹配。该种半导体级无减低铝高纯石英坩埚，内盖和外盖上的通孔相对应，通过转动外盖，既可以调整第一通槽与第二通槽的连通程度，从而调整出气口的角度，同时石英为低铝石英，避免坩埚在使用时造成金属离子污染。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体级无减低铝高纯石英坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021818694.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN213113597U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
贾建亮贾建恩孙艳
申请人 ：
廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市大厂潮白河工业区二路与福喜二路交叉口
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨玉廷
优先权 ：
CN202021818694.7
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
