一种石英坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种石英坩埚包括坩埚主体以及依次设置在坩埚主体内壁的气泡层、透明层，透明层包括位于尾棒加料液位线上方的上透明分部以及设置在尾棒加料液位线下方的下透明分部，气泡层、透明层在坩埚主体的水平线以上的部分的总厚度处处相等，上透明分部在尾棒加料液位线处与下透明分部连接，且上透明分部的厚度大于下透明分部的厚度。由于液位线处的硅溶液与坩埚壁反应剧烈，通过相对加厚液位线处透明层的厚度，减少了透明层在硅熔液长时期处于高温区时，被腐蚀破损的可能，避免了硅溶液进入气泡层，避免了气泡层的杂质进入硅溶液之中，使得拉晶过程中的晶棒整棒率提升，品质提升，降低了单晶制备成本。
基本信息
专利标题 ：
一种石英坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921691355.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-10
授权号 ：
CN210506585U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
杨俊张涛白枭龙汪沛渊何丽珠刘礼猛金浩
申请人 ：
晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 ：
江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘新雷
优先权 ：
CN201921691355.4
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06 C04B35/14 C04B35/64
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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