本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、加热器、坩埚，加热器围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及加热器外围，所述坩埚上方固定有坩埚上气罩；坩埚上气罩顶部连接有进气管，坩埚上气罩的两侧设有向加热器方向延伸出的气孔；所述隔热层内设有自下向上延伸的内置排气管，炉体外壁上方开有与排气管连通的抽气口，该方案中通过进气管、坩埚上气罩、内置排气管等结构，将溶液表面挥发出的一氧化硅及加热器挥发出的石墨排出炉体外，实现炉内无挥发物沉积，从而实现半导体长晶炉的清洁生产，提高晶体质量。