新型半导体基础材料
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
这种新型半导体基础材料应该采用有基带工艺的薄膜技术制造的，而且应该具有大于1cm2·v-1·s-1的载流子迁移率。本发明所述的半导体基础材料是由无定形含氢碳(a-C:H)薄层构成的，在室温下其电阻率介于101和108Ωcm之间，载流子浓度(n+p)介于1010和1018cm-3之间。
基本信息
专利标题 ：
新型半导体基础材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031298A
申请号 ：
CN88104804.6
公开（公告）日 ：
1989-02-22
申请日 ：
1988-08-03
授权号 ：
CN1012775B
授权日 ：
1991-06-05
发明人 ：
西格弗里德·比尔科约翰·卡马迈雅罗尔夫·舒尔特阿尔布雷希特·温纳卡格哈德·里特梅雅
申请人 ：
西门子公司
申请人地址 ：
联邦德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN88104804.6
主分类号 ：
H01L29/16
IPC分类号 ：
H01L29/16 H01L21/205 C01B31/02 C23C16/26
相关图片
法律状态
1994-09-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-02-19 ：
授权
1991-06-05 ：
审定
1990-10-24 ：
实质审查请求
1989-02-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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