二维材料半导体元件

实质审查的生效

摘要

本发明是一种二维材料半导体元件，包含有一基板、一第一层以及一第二层，该第一层是由第一二维材料所组成且覆盖于该基板的表面，该第二层是由第二二维材料所组成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维材料的能隙小于该第一二维材料的能隙。借此，可作出无表面缺陷的二维材料通道层，并有效提升载子迁移率。

基本信息

专利标题：

二维材料半导体元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114420755A

申请号：

CN202111528006.2

公开（公告）日：

2022-04-29

申请日：

2021-12-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

何焱腾陈乃榕

申请人：

瑞砻科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园市龙潭区渴望路185号之2

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN202111528006.2

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/24

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211214

2022-04-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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