半导体材料制备装置
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体材料制备装置，其包括：预处理单元、生长单元、传送单元；预处理单元包括内部提供预处理空间的第一腔室，第一腔室中设置有预处理机构，预处理机构通过刻蚀、腐蚀、热分解、机械化学抛光中一种方式或几种方式的结合对基底表面进行预处理，生长单元包括内部提供生长空间的第二腔室，传送单元包括：通道、设置于通道中的传送机构，通道连通第一腔室和第二腔室，且第一、二腔室及二者之间的通道与外部隔绝，传送机构一端延伸至第一腔室中，另一端延伸至第二腔室中。本实用新型能够在外延生长之前，对基底表面吸附的Si、O等杂质进行去除，从而避免后续生长时，在生长界面处出现高掺杂层，进而提升器件的光电性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体材料制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921670209.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-08
授权号 ：
CN210575857U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
张育民徐科王建峰
申请人 ：
苏州纳维科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
杨淑霞
优先权 ：
CN201921670209.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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