一种半导体超材料波片及其制备方法
授权
摘要

本发明公开了一种半导体超材料波片及其制备方法。本发明提供的半导体超材料波片由多层本征半导体层和多层掺杂半导体层交叉堆叠构成;本征半导体层和掺杂半导体层在垂直于层面方向的厚度均小于共振波长的四分之一。其中,掺杂半导体层内部的自由载流子为电磁共振提供载体。当入射电磁波在垂直于层面方向上的分量不为零时,会产生电磁共振响应。本发明利用超材料强烈的电磁共振效应,减小了波片的体积,可与其他光学器件集成化,有利于提高光学系统的集成度。本发明采用掺杂半导体为载流子的电磁共振提供载体,降低了波片的吸收损耗,提高了波片的转换效率,且该波片的结构简单,更易与其他半导体器件集成,也易于制备。

基本信息
专利标题 :
一种半导体超材料波片及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109188729A
申请号 :
CN201811119787.8
公开(公告)日 :
2019-01-11
申请日 :
2018-09-25
授权号 :
CN109188729B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
闵力王文进黄黎蓉罗朝明
申请人 :
湖南理工学院
申请人地址 :
湖南省岳阳市学院路
代理机构 :
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘杰
优先权 :
CN201811119787.8
主分类号 :
G02F1/00
IPC分类号 :
G02F1/00  G02F1/015  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
法律状态
2022-06-07 :
授权
2019-02-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/00
申请日 : 20180925
2019-01-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332