制备GaN基稀磁半导体材料的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。
基本信息
专利标题 ：
制备GaN基稀磁半导体材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822320A
申请号 ：
CN200610001301.1
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国义陈志涛苏月永杨志坚杨学林沈波
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京君尚知识产权代理事务所
代理人 ：
贾晓玲
优先权 ：
CN200610001301.1
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L43/12 C23C16/455 C23C16/52 C23C16/34 C23C16/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2013-12-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101681667930
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2006100013011
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京大学
变更后权利人 : 北京大学东莞光电研究院
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100871 北京市海淀区颐和园路5号
变更后权利人 : 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园一号楼4楼417、418室
登记生效日 : 20131202
号牌文件序号 : 101681667930
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2006100013011
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京大学
变更后权利人 : 北京大学东莞光电研究院
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100871 北京市海淀区颐和园路5号
变更后权利人 : 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园一号楼4楼417、418室
登记生效日 : 20131202
2008-11-19 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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