一种电子传输层材料及其制备方法、半导体器件及制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种电子传输层材料及其制备方法、半导体器件及制备方法，属于半导体器件制造领域。该电子传输层材料包括ZnAlO/rGO纳米复合物，其制备方法包括备取氧化石墨烯，将氧化石墨烯配置成溶胶，向溶胶中加入导向剂、沉淀剂、Zn盐和Al盐进行加热反应，制备得到ZnAl‑LDH/rGO，其中，Zn盐和所述Al盐的摩尔比为(2：1)～(4：1)；再将ZnAl‑LDH/rGO进行煅烧制备得到ZnAlO/rGO纳米复合物。通过该材料制备得到的器件能够改善器件的量子点层中电子与空穴注入不平衡的现象，从而在提高器件效率的同时延长器件的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种电子传输层材料及其制备方法、半导体器件及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464760A
申请号 ：
CN202210123624.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔之勇程陆玲蒋畅
申请人 ：
合肥福纳科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区新蚌埠路与魏武路交叉口佳海工业城G91栋
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吕露
优先权 ：
CN202210123624.7
主分类号 ：
H01L51/54
IPC分类号 ：
H01L51/54 H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/54
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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