一种空穴传输材料及其制备方法与OLED器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种空穴传输材料及其制备方法与OLED器件。所述空穴传输材料的结构通式如下式(1)所示：其中，X、Y独立地选自O、S、Se或Te，所述X、Y中至少一个选自Se；Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地选自取代或未取代的C6‑C30的芳基、取代或未取代的C6‑C30的稠环芳基、取代或未取代的C3‑C30的杂芳基、取代或未取代的C3‑C30的稠环杂芳基中的一种；两侧苯环任意位点被取代基取代，所述两侧苯环任意位点的取代基独立地选自氢、氘、烷基链、烷氧基链中的一种。该有机化合物具有合适的HOMO能级，当其被应用到空穴传输层中，使得空穴和电子的注入更加平衡，获得更高的外量子效率。
基本信息
专利标题 ：
一种空穴传输材料及其制备方法与OLED器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114437115A
申请号 ：
CN202111636537.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟鸿蒋卓楠张泽伟贺耀武
申请人 ：
北京大学深圳研究生院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道丽水路2199号北京大学深圳研究生院
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202111636537.3
主分类号 ：
C07D517/04
IPC分类号 ：
C07D517/04 C09K11/06 H01L51/50 H01L51/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D517/00
杂环化合物，在稠环系中至少含有1个杂环具有硒、碲或卤素原子作为杂环原子
C07D517/02
稠环系中含有两个杂环
C07D517/04
邻位稠合系
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 517/04
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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