一种基于噻咯稠杂环的空穴传输材料及其制备方法和应用
授权
摘要
本发明涉及空穴材料技术领域，公开了一种基于噻咯稠杂环的空穴传输材料，该空穴材料以噻咯稠杂环为中心核，噻吩‑三苯胺为外围修饰基团，化学结构式为空穴分子的多S结构特征，有助于提升空穴传输层与钙钛矿层的界面作用，增强电子‑空穴的分离与传输效率，提高空穴提取效率。本发明的含硅稠五环的空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，其器件的光电转化效率能够高达19.41％，并且表现出高效的器件稳定性能，具有较大的商业应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种基于噻咯稠杂环的空穴传输材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112778355A
申请号 ：
CN202110114028.8
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2021-01-27
授权号 ：
CN112778355B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王志辉邹于杰陈瑾张淦任炎炎郑菲陈静茆平胡涛
申请人 ：
淮阴工学院
申请人地址 ：
江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号
代理机构 ：
淮安市科文知识产权事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN202110114028.8
主分类号 ：
C07F7/10
IPC分类号 ：
C07F7/10 H01L51/42 H01L51/46
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
C07F7/10
含有氮的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07F 7/10
申请日 : 20210127
申请日 : 20210127
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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