一种空穴注入材料及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种空穴注入材料及其制备方法和应用,所述空穴注入材料的结构如式I所示:其中,R1‑R12独立地选自氰基、二氰基乙烯基、氟基、三氟甲基、取代或未取代的C1‑C6的烷基、取代或未取代的C1‑C6的烷氧基、取代或未取代的C6‑C12的芳基或取代或未取代的C4‑C12的杂芳基中任意一种。所述制备方法包括以下步骤:将化合物A、化合物B和催化剂混合反应,得到所述空穴注入材料。本发明提供的空穴注入材料具有良好的交叉超共轭特性,能够辅助空穴传输层高效地进行空穴注入,同时制备简单,成本低。

基本信息
专利标题 :
一种空穴注入材料及其制备方法和应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114478184A
申请号 :
CN202011253456.0
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-11-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张双
申请人 :
上海和辉光电股份有限公司
申请人地址 :
上海市金山区九工路1568号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
巩克栋
优先权 :
CN202011253456.0
主分类号 :
C07C25/22
IPC分类号 :
C07C25/22  C07C255/47  C07C255/35  C07C25/24  C07C43/192  C07C17/263  C07C253/30  C07C41/30  C09K11/06  H01L51/50  H01L51/54  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C07
有机化学
C07C
无环或碳环化合物
C07C25/00
最少有1个卤原子连在六元芳环上的化合物
C07C25/18
多环卤代芳烃
C07C25/22
带稠环
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07C 25/22
申请日 : 20201111
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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