形成空穴注入层的方法和空穴注入层墨组合物
公开
摘要
公开了形成空穴注入层的方法和空穴注入层墨组合物。所述方法包括以下步骤：在基底上形成像素电极；用组合物涂覆像素电极，以在像素电极上提供像素限定膜；通过光刻形成图案化的像素限定膜，所述图案化的像素限定膜具有暴露像素电极的一部分的开口；去除残渣；以及在暴露且去除残渣的像素电极上形成空穴注入层。
基本信息
专利标题 ：
形成空穴注入层的方法和空穴注入层墨组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551737A
申请号 ：
CN202111325561.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李珠莲金世勳高孝珍金兴奎朴元俊沈俊辅李承默河在国
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道龙仁市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
任旭
优先权 ：
CN202111325561.5
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56 C09D11/36
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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