一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法
公开
摘要
本发明公开了一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法。上述无铅金属卤化物发光二极管从下到上依次为：ITO层、修饰的空穴注入层、无铅金属卤化物发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的空穴注入层是通过聚苯乙烯磺酸钠（Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)，PSSNa）水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成的。该修饰材料，能够减少空穴注入，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰空穴注入层的无铅金属卤化物发光二极管，性能显著提升。
基本信息
专利标题 ：
一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597321A
申请号 ：
CN202210214350.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐锐司俊杰孙硕郝晓明杜逸航胡乾庆刘祖刚
申请人 ：
中国计量大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘区学源街258号中国计量大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210214350.2
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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