空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
公开
摘要
本申请涉及显示器件工艺技术领域，具体涉及一种空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该空穴功能层的制备方法包括如下步骤：沉积空穴功能材料溶液；在≤120℃的条件下进行退火处理，得到空穴功能层，其中，所述空穴功能材料溶液中的溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述第二溶剂的沸点低于所述第一溶剂的沸点。用于成膜的空穴功能材料溶液选用包括第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂，因其中的第二溶剂的沸点低于第一溶剂的沸点，使得该空穴功能材料溶液的成膜退火温度显著降低，可以在≤120℃的条件下进行退火，远低于目前的退火温度，这样可以减少空穴功能层的热损害，从而提高空穴功能层的性能。
基本信息
专利标题 ：
空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583068A
申请号 ：
CN202011295679.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚振垒
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
方良
优先权 ：
CN202011295679.3
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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