一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro-LED通信性...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro‑LED通信性能的方法及器件。该蓝绿光Micro‑LED器件包括：衬底、AlN缓冲层、u‑GaN外延层、n型电子提供层、n型电子传输层、InGaN/GaN晶格过渡层、量子阱发光层、spacer外延层、电子阻挡层、复合p型空穴注入层、p型欧姆接触层和接触电极，其中复合p型空穴注入层由p‑AlGaN/p‑GaN超晶格和极化诱导p‑AlGaN组成。相比于传统p‑GaN，复合p型空穴注入层可以提高膜层空穴浓度和电导率，且空穴浓度的增加可以加速电子空穴复合速率，降低量子阱中的载流子寿命，从而增大Micro‑LED的调制带宽。此外，输出光功率及调制带宽的增加进一步提高了Micro‑LED的数据传输速率。
基本信息
专利标题 ：
一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro-LED通信性能的方法及器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551654A
申请号 ：
CN202210065490.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王新强黄振杨嘉嘉李铎陈兆营陶仁春沈波
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京万象新悦知识产权代理有限公司
代理人 ：
李稚婷
优先权 ：
CN202210065490.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 C30B25/18 C30B29/40 C30B29/68 H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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