改善含镓发光器件性能的方法
公开
摘要
在衬底上生长含镓半导体层，随后在器件制造期间干法蚀刻含镓半导体层。干法蚀刻后，执行表面处理以去除器件侧壁的损伤。在表面处理之后，在器件的侧壁上沉积电介质材料，以钝化器件的侧壁。这些步骤导致器件的正向电流‑电压特性的改善和泄漏电流的降低，以及器件光输出功率和效率的提高。
基本信息
专利标题 ：
改善含镓发光器件性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631169A
申请号 ：
CN202080076582.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M.S.黄J.M.史密斯S.P.登巴尔斯
申请人 ：
加利福尼亚大学董事会
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
胡琪
优先权 ：
CN202080076582.5
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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