半导体发光器件热性能测量装置
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种用于测量半导体发光器件结温和热阻等热性能参数的半导体发光器件热性能测量装置。其可与被测试件相配合,它包括光测量装置和温控装置,与光测量装置、温控装置电连接的电驱动、测量电路,光测量装置和温控装置呈上下布置,电驱动、测量电路可与被测试件电连接。本实用新型具有的有益效果:1.光测量装置和温控装置呈上下布置,在装置上取放半导体发光器件时,可调节光测量装置和温控装置相对位置,操作简单方便;2.光电测量仪能准确测量光度量、辐射度量等光参数;3.散热器的结构合理,工作时对流环境良好,散热效果好;4.设置有定位测量装置,用于检测光测量装置与温控装置的相对位置,避免操作异常现象的出现。
基本信息
专利标题 :
半导体发光器件热性能测量装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720303012.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-12-05
授权号 :
CN201110883Y
授权日 :
2008-09-03
发明人 :
牟同升
申请人 :
杭州浙大三色仪器有限公司
申请人地址 :
310013浙江省杭州市西溪路525号浙大科技园G楼浙大三色
代理机构 :
浙江翔隆专利事务所
代理人 :
戴晓翔
优先权 :
CN200720303012.7
主分类号 :
G01R31/265
IPC分类号 :
G01R31/265
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/265
••无触点测试
法律状态
2018-01-23 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : G01R 31/265
申请日 : 20071205
授权公告日 : 20080903
申请日 : 20071205
授权公告日 : 20080903
2008-09-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN201110883Y.PDF
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