本发明公开了一种铟镓铝氮发光器件，它包括衬底、半导体叠层、引线电极和电极引线，半导体叠层中至少包括一个N型层和一个P型层，特征是在半导体叠层中至少N型层或至少P型层具有一空缺，该空缺位于所述引线电极的引线的正下方；或包括一个具有主面和背面的导电衬底，依次在衬底主面向上层叠的粘接金属层、反射/欧姆金属层、半导体叠层、引线电极和电极引线，该半导体叠层中至少包含一个N型层和一个P型层，特征是所述的反射/欧姆金属层具有一空缺，且该空缺位于所述引线电极的引线的正下方。本发明的电极引线的下方半导体层不发光，因此可以消除因引线挡光而导致的光损失，提高发光器件的出光效率。