高性能FET器件和方法
专利权的终止
摘要
具有用于改进半导体场效应晶体管(FET)器件性能的栅极电压偏置源电路元件的外延层结构采用包括以下部分的结构：衬底；衬底上外延生长的n型或p型第一层半导体膜；衬底和第一层膜之间可能存在的缓冲层；在第一半导体层上外延生长的有源半导体层，有源层的导电类型与第一半导体层相反，所述有源层具有栅极区、源极区和漏极区，以及至栅极、源极和漏极区的电触点，足以形成FET；衬底或第一半导体层上的电触点；以及栅极电压偏置源电路元件，与栅极触点和衬底或第一半导体层电连接，具有足以提高器件性能的电压极性和幅度。可以将具有栅极电压偏置源电路元件的这种外延层结构用于改进半导体FET器件的功能和高频性能。
基本信息
专利标题 ：
高性能FET器件和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101361189A
申请号 ：
CN200680003161.X
公开（公告）日 ：
2009-02-04
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李泰锡余阳仁亨利·怀特
申请人 ：
莫克斯托尼克斯股份有限公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王波波
优先权 ：
CN200680003161.X
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101423718228
IPC(主分类) : H01L 29/74
专利号 : ZL200680003161X
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20110216
终止日期 : 20120125
号牌文件序号 : 101423718228
IPC(主分类) : H01L 29/74
专利号 : ZL200680003161X
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20110216
终止日期 : 20120125
2011-02-16 ：
授权
2009-04-01 ：
实质审查的生效
2009-02-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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