IGBT器件的制造方法及IGBT器件
公开
摘要
本申请涉及半导体器件领域，提供一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件。所述IGBT器件的制造方法包括：在硅衬底中形成深沟槽；在深沟槽内形成附着于深沟槽的槽壁的栅氧化层薄膜；在深沟槽内形成附着于栅氧化层薄膜的金属薄膜种子层；在具有金属薄膜种子层的深沟槽内填充金属钨形成钨栅极及钨栅极总线。本申请采用金属钨材料作为栅极材料，由于金属钨材料的电阻率比多晶硅材料的电阻率低两个数量级，利用钨栅极和钨栅极总线替代多晶硅栅极和栅极总线，显著降低IGBT器件的栅极电阻，从而降低栅极总线的电阻延迟，避免IGBT器件开关不一致的问题。
基本信息
专利标题 ：
IGBT器件的制造方法及IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628247A
申请号 ：
CN202210515987.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵东艳王于波陈燕宁付振张泉尹强肖超田俊杨毓龙
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
李红
优先权 ：
CN202210515987.5
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/331 H01L29/423 H01L29/49 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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