制造半导体器件的方法

专利权的终止

摘要

本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中可以有利地填充具有高宽高比开口的接触孔，而不采用传统的CMP工艺。本发明的另一个目的是提供一种采用比传统方法更少的步骤形成引线的方法，并且提供一种在高成品率下制造高度集成的半导体器件的方法。根据本发明，在具有多个空气孔的绝缘膜的表面上形成具有斥水性表面的膜，通过采用光照射具有斥水性表面的膜的一部分而形成具有亲水性表面的区域，以及通过在所述具有亲水性表面的区域上释放并且烘焙具有导电颗粒的液体材料而形成导电膜。

基本信息

专利标题：

制造半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1801461A

申请号：

CN200510129041.1

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

森末将文山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

优先权：

CN200510129041.1

主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H01L21/28 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/28

用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

法律状态

2018-11-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20171130

2009-05-27 ：

授权

2008-01-30 ：

实质审查的生效

2006-07-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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