半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种半导体器件及其制造方法，此器件带有一形成在半导体晶片上的扩散势垒层，其上还用硅烷等离子工艺或反应溅射方法形成了一甲硅烷基化层。在甲硅烷基化层上形成金属层时，扩散势垒层与金属间的沾润度增强并形成大的晶粒，从而提高了金属层对接触孔或通孔的覆盖。此外，在甲硅烷基化层上形成金属层后进行热处理时，金属层的回流特性变好，从而易于填充接触孔或通孔。用此法可获得高可靠性的布线层并可免去后续的烧结工序。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1090091A

申请号：

CN93120818.1

公开（公告）日：

1994-07-27

申请日：

1993-12-10

授权号：

CN1039562C

授权日：

1998-08-19

发明人：

李相忍

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN93120818.1

主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L23/532 H01L21/768 H01L21/28