半导体器件及其制造方法
授权
摘要
一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106486461A
申请号 ：
CN201610756035.7
公开（公告）日 ：
2017-03-08
申请日 ：
2016-08-29
授权号 ：
CN106486461B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
韩赫朴济宪尹基炫李彰原林炫锡河周延
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN201610756035.7
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2018-08-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/532
申请日 : 20160829
申请日 : 20160829
2017-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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