半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的目的是提供一种半导体器件和显示器件及其制造方法,通过简化了的工艺,能够以改进了的材料效率来制作这种半导体器件和显示器件。另一目的是提供一种技术,此技术能够以良好的可控性在所需的形状中形成诸如包括在半导体器件或显示器件中的布线之类的图形。制造本发明半导体器件的方法的一个特点是包括下列步骤:形成具有粗糙表面的层;在粗糙表面上形成对包含导电材料的组分浸润性低的区域以及对此组分浸润性高的区域;以及用此组分在浸润性高的区域中形成导电材料。由于能够形成浸润性非常不同的各个区域(浸润性差别大的区域),故液体导电材料或绝缘材料仅仅被精确地固定到形成区。因此,能够在所需图形中精确地形成导电层或绝缘层。
基本信息
专利标题 :
半导体器件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1815686A
申请号 :
CN200510129682.7
公开(公告)日 :
2006-08-09
申请日 :
2005-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
森末将文前川慎志
申请人 :
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 :
日本神奈川
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
王永刚
优先权 :
CN200510129682.7
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00 H01L21/28 H01L21/768 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-12-07 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20100623
终止日期 : 20171216
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20100623
终止日期 : 20171216
2010-06-23 :
授权
2008-02-06 :
实质审查的生效
2006-08-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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