制造半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFT)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1282980A
申请号 ：
CN00104111.8
公开（公告）日 ：
2001-02-07
申请日 ：
1993-12-09
授权号 ：
CN100359633C
授权日 ：
2008-01-02
发明人 ：
宫崎稔A·村上崔葆春山本睦夫
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN00104111.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2014-02-05 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101567132046
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL001041118
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20080102
期满终止日期 : 20131209
号牌文件序号 : 101567132046
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL001041118
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20080102
期满终止日期 : 20131209
2008-01-02 ：
授权
2001-02-07 ：
公开
2001-01-10 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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