半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1292569A
申请号 ：
CN99124885.6
公开（公告）日 ：
2001-04-25
申请日 ：
1999-08-14
授权号 ：
CN1178279C
授权日 ：
2004-12-01
发明人 ：
山崎舜平张宏勇竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN99124885.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/324 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2013-08-21 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101510923837
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL991248856
申请日 : 19930706
授权公告日 : 20041201
期满终止日期 : 20130706
号牌文件序号 : 101510923837
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL991248856
申请日 : 19930706
授权公告日 : 20041201
期满终止日期 : 20130706
2004-12-01 ：
授权
2001-04-25 ：
公开
2001-03-07 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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