半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
半导体器件的制造方法，本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1893000A
申请号 ：
CN200610099724.1
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN1893000B
授权日 ：
2012-06-27
发明人 ：
张宏勇高山彻竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
陈景峻
优先权 ：
CN200610099724.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581485514
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100997241
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20120627
期满终止日期 : 20140312
号牌文件序号 : 101581485514
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100997241
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20120627
期满终止日期 : 20140312
2012-06-27 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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