器件解析装置及器件解析方法
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摘要
器件解析装置(1)是执行功率半导体器件(P)的好坏判别的器件解析装置，具备：施加部(12)，其对功率半导体器件(P)施加电压信号；光检测部(13)，其在多个检测位置(A～D)上检测来自功率半导体器件(P)的光，并输出基于检测结果的检测信号；及判别部(33)，其基于检测信号的时间变化，判别功率半导体器件(P)的好坏。
基本信息
专利标题 ：
器件解析装置及器件解析方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110662973A
申请号 ：
CN201880034008.6
公开（公告）日 ：
2020-01-07
申请日 ：
2018-04-18
授权号 ：
CN110662973B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
松本彻远藤幸一中村共则越川一成
申请人 ：
浜松光子学株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN201880034008.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/00 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-02-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20180418
申请日 : 20180418
2020-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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