具有双面多层环形结构的高性能薄膜体声波器件制备方法
公开
摘要
本发明公开了具有双面多层环形结构的高性能薄膜体声波器件制备方法，具体为：在压电层上沉积第一电极；第一电极上沉积第一、第二和第三下环形结构，再淀积牺牲层，沉积保护层，淀积待键合层一；淀积待键合层一的与淀积在基底上的待键合层二键合；压电层的顶面沉积第二电极；第二电极的顶面也可沉积第一、第二和第三上环形结构；压电层上刻蚀有与空腔连通的通孔。本发明通过在第一电极加下环形结构，在第二电极加上环形结构，可减少谐振器的主谐振声波泄露，提升谐振器的Q值。
基本信息
专利标题 ：
具有双面多层环形结构的高性能薄膜体声波器件制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114301407A
申请号 ：
CN202111669986.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
轩伟鹏张标石林豪董树荣金浩高峰骆季奎李文钧孙玲玲
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
周雷雷
优先权 ：
CN202111669986.8
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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