表面声波器件和表面声波器件的制造方法
专利权的终止
摘要
表面声波器件和表面声波器件的制造方法。本发明的课题是提供一种表面声波器件和表面声波器件的制造方法，在半导体基板上具有IC区域和表面声波元件区域并构成为一个芯片，能够确保形成表面声波元件的部分的平坦度，获得良好的特性。表面声波器件(1)在半导体基板上具有IC区域和表面声波元件区域并构成为一个芯片，在表面声波元件区域的半导体基板(30)上及元件绝缘膜(32)上而且形成有表面声波元件(24)的区域的下方，形成与IDT电极(22)的电极指(21)大致平行而且是相同间距P的线状的层厚度调整膜(32、35)。
基本信息
专利标题 ：
表面声波器件和表面声波器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794573A
申请号 ：
CN200510135036.1
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古畑诚佐藤久克
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄纶伟
优先权 ：
CN200510135036.1
主分类号 ：
H03H9/25
IPC分类号 ：
H03H9/25 H03H3/08
法律状态
2015-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341182
IPC(主分类) : H03H 9/25
专利号 : ZL2005101350361
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20131221
号牌文件序号 : 101598341182
IPC(主分类) : H03H 9/25
专利号 : ZL2005101350361
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20131221
2009-04-01 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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