表面声波装置的制造方法及表面声波装置

专利权的终止

摘要

提供表面声波装置的制造方法及表面声波装置。在半导体基板上具备IC区域与表面声波元件区域并构成为一个芯片的表面声波装置中，能够确保形成表面声波元件部分的平坦性，得到特性良好的表面声波装置的制造方法及表面声波装置。该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。

基本信息

专利标题：

表面声波装置的制造方法及表面声波装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1805275A

申请号：

CN200510132693.0

公开（公告）日：

2006-07-19

申请日：

2005-12-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

矢岛有继佐藤久克小岛贵志

申请人：

精工爱普生株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

优先权：

CN200510132693.0

主分类号：

H03H3/08

IPC分类号：

H03H3/08 H03H9/25