表面声波元件、表面声波元件的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段,表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30),在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10),并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状,在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71~74),在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90),在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。

基本信息
专利标题 :
表面声波元件、表面声波元件的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1783711A
申请号 :
CN200510125795.X
公开(公告)日 :
2006-06-07
申请日 :
2005-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
古畑诚后藤健次佐藤久克
申请人 :
精工爱普生株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
黄纶伟
优先权 :
CN200510125795.X
主分类号 :
H03H9/25
IPC分类号 :
H03H9/25  H03H9/64  
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法律状态
2009-04-22 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02 :
实质审查的生效
2006-06-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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