晶体器件的制造方法
专利权的视为放弃
摘要
提供一种可容易制造的晶体振子的制造方法。本发明的晶体振子的制造方法具备：通过在上述石英片上大致同时照射第1光和第2光来产生烧蚀，并在上述石英片上形成规定图案的沟的工序，其中所述第1光将被吸收在石英片上、并构成上述石英片的物质的能级从基底状态激励成第1激励状态；所述第2光将构成上述石英片的物质的能级从上述第1激励状态激励成第2激励状态。通过如此的晶体振子的制造方法来解决上述课题，
基本信息
专利标题 ：
晶体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812258A
申请号 ：
CN200510022891.1
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梅津一成
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510022891.1
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/19
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法律状态
2012-04-11 ：
专利权的视为放弃
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101222909705
IPC(主分类) : H03H 3/02
专利申请号 : 2005100228911
放弃生效日 : 20060802
号牌文件序号 : 101222909705
IPC(主分类) : H03H 3/02
专利申请号 : 2005100228911
放弃生效日 : 20060802
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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