钛酸钡锶晶体光折变器件及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是Ba1-xSrxTiO3单晶，其中0.01≤X≤0.1。该器件具有良好的光折变性能，用来作为自泵浦位相共轭器件时，其反射率达40％以上。该器件的制造方法包括：用熔体提拉法生长Ba1-xSrxTiO3单晶；在氧化性气氛下退火；加工成具有抛光表面的长方体晶块；用机械加压和升温加直流电场联合的办法使晶体单畴化。它可以是经上述方法加工的一块晶体，也可以是一个包含有至少一块这种晶体的光电子学系统。本发明所使用的Ba1-xSrxTiO3晶体具有生长周期短，工艺简单，成品率高，易于得到尺寸较大的晶块以及四方--正交相变点较低等优点。
基本信息
专利标题 ：
钛酸钡锶晶体光折变器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058433A
申请号 ：
CN90104945.X
公开（公告）日 ：
1992-02-05
申请日 ：
1990-07-26
授权号 ：
CN1025634C
授权日 ：
1994-08-10
发明人 ：
庄健李敢生高宪成郭喜彬黄亦好施真珠翁雅英吕坚
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
350002福建省福州市山头角123号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN90104945.X
主分类号 ：
C30B29/32
IPC分类号 ：
C30B29/32 C30B15/00 C30B33/02 G02F1/39
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/32
钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐
法律状态
2000-09-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-08-10 ：
授权
1992-09-02 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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